近日，美国亚利桑那州立大学（ASU）就单晶AlN衬底上的高压AlN金属半导体场效应晶体管（MESFET）进行了报告 [Bingcheng Da et al, Appl. Phys. Express, v17, p104002, 2024]。研究人员们表示，这项工作是“在原生衬底上通过同质外延生长实现AlN晶体管”的首次报道。 图1：（a ...