2025年1月25日消息，合肥沛顿存储科技有限公司最近在国家知识产权局申请了一项名为“封装偏移堆叠DRAM结构的方法”的专利（公开号CN119340214A），这一创新将大大降低DRAM芯片的封装难度。随着电子产品对存储容量和速度的要求不断提升，优化 ...

2024年12月30日的最新报道指出，三星电子正在进行一项重大战略转型，计划放弃最先进的4F2VCT结构DRAM，转而启动采用常规结构的第8代10纳米级制程DRAM。这一举措不仅旨在丰富三星在内存技术领域的储备，也为未来可能的商业化探索提供了支持。

因此，尽管三星正致力于在2030年前后推出三维堆叠式DRAM，但4F²架构并不会成为实现这一目标的关键所在。 铁电材料也一直是韩国科学技术院（KAIST）的研究课题。2022年纳米融合会议（Nano Convergence conference）的一篇论文对萤石结构的氧化铪进行了探究，而2024年 ...

2024年12月30日的最新报道指出，三星电子正在进行一项重大战略转型，计划放弃最先进的4F2VCT结构DRAM，转而启动采用常规结构的第8代10纳米级制程DRAM。

IT之家 1 月 21 日消息，华硕 ROG 官方今日展示了其 NitroPath DRAM 技术，可以理解为重新设计主板上内存插槽根部固定结构设计，从而提高内存信号完整性以及内存 OC 超频性能。IT之家查询发现，ROG Crosshair ...

华硕ROG发布NitroPathDRAM技术1月21日，华硕ROG官方宣布推出名为NitroPathDRAM的新技术。这项技术的目的是重新设计主板上内存插槽根部固定结构，以提高内存信号完整性以及超频性能。目前，ROGCrosshairX870EHer ...

IT之家查询发现，ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 目前已经支持这项技术，官方标称内存条固定力度增加 57%，超频性能提高 400 MT/s。 对于这项功能，我们需要稍微了解一点电气工程知识。简单来说，现代 DIMM 采用了采用 288 pin 针脚，这意味着 DIMM 上有 288 个“金手指”焊盘需要与 DRAM ...

IT之家 12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM ...

根据报道，三星电子正在计划启动采用常规结构的第8代10纳米级制程的DRAM。这一举措旨在丰富其在先进内存开发方面的技术储备，并为未来可能的 ...

群智咨询（Sigmaintell）执行副总经理兼首席分析师陈军对21世纪经济报道记者分析，目前判断2025年上半年存储产业价格大概率下行，价格能否反转还要看二季度末全球市场的需求侧能否继续回暖以及上游原厂的控产策略能否奏效，二季度末将是后市一个主要观 ...

韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能 ...