2025年1月25日消息，合肥沛顿存储科技有限公司最近在国家知识产权局申请了一项名为“封装偏移堆叠DRAM结构的方法”的专利（公开号CN119340214A），这一创新将大大降低DRAM芯片的封装难度。随着电子产品对存储容量和速度的要求不断提升，优化 ...

2024年12月30日的最新报道指出，三星电子正在进行一项重大战略转型，计划放弃最先进的4F2VCT结构DRAM，转而启动采用常规结构的第8代10纳米级制程DRAM。这一举措不仅旨在丰富三星在内存技术领域的储备，也为未来可能的商业化探索提供了支持。

“DRAM技术的持续微缩正推动其向采用水平电容器堆叠的三维结构发展，”文森特说道，“水平放置的方式需要进行横向蚀刻，而这很困难，因为凹槽尺寸差异很大。” 图 2：翻转电池以使电容器 ...

2024年12月30日的最新报道指出，三星电子正在进行一项重大战略转型，计划放弃最先进的4F2VCT结构DRAM，转而启动采用常规结构的第8代10纳米级制程DRAM。

华硕ROG发布NitroPathDRAM技术1月21日，华硕ROG官方宣布推出名为NitroPathDRAM的新技术。这项技术的目的是重新设计主板上内存插槽根部固定结构，以提高内存信号完整性以及超频性能。目前，ROGCrosshairX870EHer ...

群智咨询（Sigmaintell）执行副总经理兼首席分析师陈军对21世纪经济报道记者分析，目前判断2025年上半年存储产业价格大概率下行，价格能否反转还要看二季度末全球市场的需求侧能否继续回暖以及上游原厂的控产策略能否奏效，二季度末将是后市一个主要观 ...

IT之家 12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM ...

DRAM。 报道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调整 NAND 结构，从目前的 CoP 外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合 ...

根据报道，三星电子正在计划启动采用常规结构的第8代10纳米级制程的DRAM。这一举措旨在丰富其在先进内存开发方面的技术储备，并为未来可能的 ...

IT之家12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供 ...