仅一周的时间，北京大学材料科学与工程学院周欢萍教授连续两度在国际顶级学术刊物Science上发文。1月9日，北京大学周欢萍教授、张艳锋教授（共同通讯作者）发表了题为“Wafer-scale monolayer MoS2 film ...

第一作者为姜鹤博士。 研究背景 通过化学气相沉积(CVD)已经成功实现晶圆级MoS2单晶的生长。然而，多核生长法存在由拼接引发的晶界缺陷问题，将降低器件均匀性，限制了二维半导体材料的应用。从单个核合成宏观晶圆级单层单晶提供了另一种可行方法。

采用2DCZ方法在常压管式炉中以MoO3和S为前驱体生长大规模MoS2单层。首先，通过调整O2和S蒸汽的分压，实现Mo源的预沉积和蚀刻，形成液体态MoO3。