然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

证券之星消息，捷捷微电(300623)01月13日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者：请问公司涉足氮化镓量子芯片业务没？