复合应用 GaN 和 SiC 是近年来业界应对高性能需求的创新方向。通过技术创新如横向 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）与垂直 SiC 晶体管的结合 ...

目前，平湖实验室已精心布局1200-6500V SiC MOSFET及15-1200V GaN HEMT产品及工艺平台，正在积极构建从材料制备、芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链，将为我国进一步完善、升级第三代半导体产业链提供重要助力。 未来，深圳综合平台将在重点关键核心技术 ...