近日，金融界报道，晶丰芯驰（上海）半导体科技有限公司在国家知识产权局申请了一项名为‘一种GaN基HEMT外延片及其制备方法和用途’的专利（公开号CN119300439A），申请日期为2024年9月。这项专利的核心在于提升GaN基HEMT（高电子迁移率晶体管）外延片的耐压性能，符合当前半导体行业对高性能器件日益增长的需求。 通过特定设计的高阻层，晶丰芯驰的研究团队使用组合材料技术，构建了包含P型Al ...

Researchers at Shandong University in China have reported an enhancement-mode P-GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor ...

增加功率器件的电流通常意味着增加其物理尺寸以保持可接受的功率密度。具有更高击穿电压的材料可以制造更小的器件，因为它们可以承受更高的功率密度。然而，器件之间的间距仍然受到需要充分隔离的限制。垂直器件架构允许设计人员保持相邻器件之间的间隔，同时减少整体电 ...

GaN is especially well-established in low-power applications like chargers for personal electronics, while silicon and SiC ...

Additionally, researchers have developed analytical thermal models to predict temperature rises in AlGaN/GaN HEMTs. These models utilize conformal mapping techniques to simplify the complex ...