近日，聚灿光电科技（宿迁）有限公司在一场盛大的仪式上宣布，其砷化镓红黄光芯片项目成功实现投产，标志着这一高科技产品的量产阶段正式拉开序幕。这一重要里程碑彰显了公司在化合物半导体领域的卓越技术和创新能力，预示着Mini-Micro ...

Aledia首席执行官Pierre Laboisse表示，公司基于硅纳米线的3D氮化镓(GaN) Micro-LED技术，使得Micro-LED显示屏更加轻薄、更节能，同时降低了生产成本。

2025年1月16日，江西兆驰半导体有限公司在国家知识产权局申请了一项名为“Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片”的专利（公开号CN119300565A），这项技术的创新有望在未来推动Micro LED显示技术的发展。Micro LED，作为一种新兴显示技术，以其超高亮度和节能特性受到业内广泛关注，特别是在低工作电流密度下的光效表现更是关键。

近期，聚灿光电科技（宿迁）有限公司宣布了一项激动人心的重要里程碑——其砷化镓红黄光芯片项目成功实现投产，标志着这一高科技产品正式进入量产阶段。这一激动人心的消息于1月11日通过一场盛大的仪式对外公布，意味着聚灿光电在Mini-Micro ...

近年来，基于氮化镓（GaN）的发光二极管显示器件被广泛应用于新一代显示技术的开发。其中，尺寸在20~200μm的LED器件通常被称为迷你发光二极管（MiniLED），尺寸在50μm以下的LED器件被称为微型发光二极管（Micro-LED）。（注：现在其实对于MiniLED、Micro-LED芯片尺寸 ...

湖南大学团队联合诺视科技、晶能光电等研发出一种超高亮度Micro-LED微显示芯片，并在均匀性极高的硅衬底GaN外延片上开发了单像素亮度高达1000万尼 ...

研发出超高亮度 Micro LED 微显示芯片，还基于均匀性极高的硅衬底 GaN 外延片，开发出单像素亮度达 1000 万尼特的绿色 Micro LED 显示屏。 中国电子信息产业发展研究院新型显示首席研究员耿怡接受《中国电子报》采访时提到，2024 年之前，Micro LED 技术尚处摸索阶段 ...

该方案通过蓝色GaN Micro-LED激发红色量子点得到红光，可以直接避开AlGaInP Micro-LED红光效率低和熱衰等材料相关难题。 图源：镭昱 镭昱透露，经过多 ...

研究团队将GaN组件与传统硅微电子技术相结合，创建了具有数十万Micro LED的高度集成阵列。基于GaN的Micro LED技术在减少AI系统所带来的巨大能源消耗 ...

鸿海称，凭借 Porotech 领先的氮化镓（GaN）技术，结合鸿海 Micro LED 晶圆制程，到封装、光学模组一站式垂直整合服务，满足微型显示芯片以及 AR 眼镜 ...