该专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，其核心在于有效降低NMOS和PMOS的阈值电压。这项技术的突破不仅为长鑫存储本身的发展奠定了基础，也将对整个智能设备行业产生深远影响。 根据国家知识产权局的信息，这项专利的申请日期为2023年6月 ...

下划线符号（_）可以随意用在整数或实数中 ... • 上拉、下拉电阻 pullup（上拉电阻）、pulldown（下拉电阻）。 • MOS 开关 cmos、nmos、pmos、rcmos、rnmos、rpmos。 • 双向开关 tran、tranif0、tranif1、rtran、rtranif0、rtranif1。 门级逻辑设计描述中可使用具体的门实例语句。

发布者：DreamyEclipse来源: eefocus关键字：MSP430 寄存器 中文注释手机看文章 扫描二维码 ...

SPWM波的定义和生成方法在这里就不多说了，本文主要说SPWM波在单片机上的实现，以及如何调节滤出后的正弦波的频率及幅度。 先弄清楚SPWM在单片机上如何产生，比如你要输出100HZ的SPWM正弦波，每个周期100个点，则定时器B的中断频率为100*100=10K，用于载波（定时 ...