然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

此外，SiC晶圆也比Si晶圆薄近50% (达500μm)，因此材料相当脆 ... GaN电压超越700V 由于具有出色的高频特性，GaN与砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等其他化合半导体一样，已成为适用于单晶微波积体电路(MMIC)和混合微波电路等高频电路的III-V族半导体。GaN尤其适用于发射 ...

全球光电传感器市场预计将在2030年达到25.4亿美元规模，这一预测数据由贝哲斯机构发布。智能化物联网应用的蓬勃发展，正推动中国光电传感器行业迈入智能化发展新阶段，预示着未来这一趋势将持续增强。