芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出 ...

在当前科技飞速发展的背景下，半导体技术的创新成为提升智能设备性能的关键。今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的重要突破。根据国家知识产权局的公示信息，该专利于2024年12月提出，旨在提供一种全新的GaN HEMT器件结构，期待将对电子设备的性能产生深远影响。

金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

增加功率器件的电流通常意味着增加其物理尺寸以保持可接受的功率密度。具有更高击穿电压的材料可以制造更小的器件，因为它们可以承受更高的功率密度。然而，器件之间的间距仍然受到需要充分隔离的限制。垂直器件架构允许设计人员保持相邻器件之间的间隔，同时减少整体电 ...