芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出 ...

本项目建成达产后，预计每年新增销售第三代半导体 GaN-on-Si HEMT 功率器件7.44 百万颗， 提升公司在第三代半导体材料应用领域的市场竞争力。 2、公司的产品应用领域主要以消费类电子为主，少部分应用于安防领域、网络通讯领域、工业领域。 3、目前公司有 ...

1月15日，据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。 据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大阪大学和电装合作，参与了日本环境省自 2022 年以来实施的项目“加速实现创新 CO₂ 减排材料的社会实施和传播项目”。新开发的高压三电平逆变器是该项目努力的结果。 图1 ：电装 ...

与Si器件相比，GaN器件可以提高应用 ... 而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能，还致力于将其与融入 ...

【新智元导读】GAN已死？不，它卷土重来了！布朗大学和康奈尔大学的研究者刚刚提出了R3GAN，充分利用现代架构设计，彻底摒弃临时技巧，一半参数就能碾压扩散模型。网友惊呼：游戏规则要改变了！ GAN已死？ 不，GAN又回来了！ 此前曾掀起AI圈巨大风暴的 ...

2025 年了，GAN 能否击败扩散模型？答案是 Yes！ 本周五，AI 社区开始讨论一种全新极简主义 GAN（生成对抗网络）。 现代版 GAN 基准论文成为了周五 ...