研究人员发现了一种更快、更高效的 3D NAND 闪存深孔蚀刻方法，即使用先进的等离子工艺。通过调整化学工艺，他们使蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础。 为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存 ...

近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的科学家们联手打造。他们巧妙地利用了氟化氢等离子体，实现了硅材料垂直通道 ...

据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高 ...

最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。