该专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，其核心在于有效降低NMOS和PMOS的阈值电压。这项技术的突破不仅为长鑫存储本身的发展奠定了基础，也将对整个智能设备行业产生深远影响。 根据国家知识产权局的信息，这项专利的申请日期为2023年6月 ...

专利摘要显示，本申请涉及电机技术领域，具体提供一种直流换向控制器，旨在解决如何有效避免直流换向控制器NMOS和PMOS管同时导通的风险的问题。为此目的，本申请的直流换向控制器包括两个结构相同的驱动电路，每个驱动电路中均包括第一控制模块、第二 ...