然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

全球光电传感器市场预计将在2030年达到25.4亿美元规模，这一预测数据由贝哲斯机构发布。智能化物联网应用的蓬勃发展，正推动中国光电传感器行业迈入智能化发展新阶段，预示着未来这一趋势将持续增强。

【新智元导读】GAN已死？不，它卷土重来了！布朗大学和康奈尔大学的研究者刚刚提出了R3GAN，充分利用现代架构设计，彻底摒弃临时技巧，一半参数就能碾压扩散模型。网友惊呼：游戏规则要改变了！ GAN已死？ 不，GAN又回来了！ 此前曾掀起AI圈巨大风暴的 ...

2025 年了，GAN 能否击败扩散模型？答案是 Yes！ 本周五，AI 社区开始讨论一种全新极简主义 GAN（生成对抗网络）。 现代版 GAN 基准论文成为了周五 ...

这些系统将迅速发展，特别是因为它们体积小，而且由于距离短，需要多个设备。在这一新兴领域，GaN-on-SiC和GaN-on-Si解决方案与SiGe、SOI、CMOS和GaAs一起均被认为是潜在的候选方案。GaN产业已经开始推出针对这些应用的创新集成技术。 根据System Plus Consulting的分析 ...