芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出 ...

氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体，具备优异的电气特性，使其在高频、高功率、高效率应用中成为硅（Si ... 台积电的650V GaN HEMT工艺，推出 ...

NCP1397GANGEVB，高性能集成高压驱动器评估板。 NCP1397GANGEVB 参考设计使用氮化镓(GaN) HEMT 作为开关器件提供 12V/20A 电源。电源转换器的前端将通用交流线路转换为 385 直流总线，同时实现接近单位功率因数。第二级是 DC-DC 级，它将 385 VDC 总线转换为 12V 输出 ...