扩散炉用于大规模 集成电路 、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。 扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和 ...

扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、lpcvd、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。 本文主要介绍热氧化、扩散及 合金工艺 。 第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介

描述：Saxonburg扩散炉加热器采用SUS不锈钢包裹，陶瓷纤维保温材料真空吸附一体成型，用于生产高品质太阳能电池和半导体产品硅片。 可选择细丝或者粗丝热场，工作温度可达200~1350℃。

青岛华旗科技有限公司专业的半导体工艺设备及先进材料专用设备研发、制造厂家。主要产品系列：扩散炉、氧化炉、lpcvd化学气相沉积、hvpe晶体生长、真空炉及半导体废气处理等。

一、扩散(炉) (diffusion) 1、扩散搀杂 . 半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特点，是进一步创造出p-n接合面（p-n junction）、二极管（diode）、晶体管（transistor）、以至于大千婆娑之集成电路（IC）世界之基础。

扩散炉由的Thermco TMX系统控制。 TMXpc控制系统融合了前代TMX的配方编辑和控制模式与可靠的硬件和图形化操作功能。 该设备有一台主用户操作电脑MUX用来编辑配方和查看状态，且每条管道都有独立的控制电脑。

扩散/氧化炉是半导体生产重要工艺，扩散是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中， 使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。

horic d200扩散炉，主要用于半导体产线8寸及以下晶圆做扩散、氧化、退火、合金等工艺，设备工艺性能好、产能大、可靠性高，可满足半导体领域的多种产线需求。

扩散（Diffusion）是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。

2023年11月14日 · ICS 13.020.01 Z 04 备案号： 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/T XXXXX—202X 扩散炉热平衡和热效率及综合能耗的计算方法 Calculation method of thermal equilibrium, thermal efficiency and comprehensive energy consumption for diffusion furnace （征求意见稿） 202X - XX - XX 发布 202X - XX - XX 实施 中 华 人 民 共 和 国 工 业 和 信 ...